valcom壓力傳感器工作原理分析

發(fā)布日期：2024-09-12      瀏覽次數(shù)：312

valcom壓力傳感器工作原理分析




半導體壓力傳感器的結構及工作原理說明



傳感器芯片結構

硅壓力計是通過雜質(zhì)擴散在硅芯片壓力傳感部分（硅膜片）中形成的，與普通IC制造工藝類似。
當對硅芯片施加壓力時，應變計電阻會根據(jù)偏轉而變化，并轉換為電信號。 （壓阻效應）
該應變計的特點是應變系數(shù)大。 （金屬規(guī)有2～3，硅規(guī)有10～100）。
因此，可以獲得高輸出，可以制造厚膜片并提高壓力傳感器的耐壓性。

目標型號

半導體壓力傳感器
VSW2（低壓用）等

半導體膜片壓力傳感器的結構及工作原理講解

半導體膜片壓力傳感器由直接與測量介質(zhì)接觸的高耐腐蝕金屬膜片（相當于哈氏合金C-22、SUS316L等）和通過密封件檢測壓力的硅片（硅膜片）組成。硅油）使用雙隔膜系統(tǒng)。
SUS316L膜片（或哈氏合金C-22同等材料等）通過壓力入口與測量介質(zhì)直接接觸，可以穩(wěn)定地測量不浸透它的介質(zhì)（空氣、水、油等）。 [當連接螺紋形狀為G3/8時，使用O型圈（氟橡膠）密封管道。 ]

特征

• 我們可以制造各種可以測量正壓、負壓、復合壓力和絕對壓力的傳感器元件。

• 與介質(zhì)直接接觸的受壓部件材質(zhì)相當于哈氏合金C-22，可用SUS316L制造，因此具有優(yōu)異的耐腐蝕性。

• 檢測壓力的硅芯片的膜片較厚，因此具有優(yōu)異的耐壓性能。

目標型號

半導體膜片壓力傳感器
VESW、VESX、VESY、VESZ、VHR3、VHG3、VAR3、VAG3、VPNPR、VPNPG、VNF、HS1、HV1、AS1、AV1、NS1、NV1、VESI、VESV、VSW2、VST等

應變片式壓力傳感器的結構及操作說明



應變片式壓力傳感器的結構及操作說明

將左圖所示的電阻橋粘貼在受壓部的金屬膜片的背面，將施加壓力時金屬膜片的變形量作為電壓變化進行檢測。
由于金屬膜片表面有應變量高的地方和應變量少的地方，所以在四個地方粘貼了電阻，即使應變量不均勻也能正確檢測的結構。

特征

• 沒有焊接或 O 形圈接頭，隔膜是一體式的，堅固耐用。

• 可高精度、耐高溫（150℃）生產(chǎn)

目標型號

應變式壓力傳感器
VSD4、NSMS-A6VB、HSSC、HSSC-A6V、VHS、VHST、HSMC2、HSMC、VPE、VPB、VPRT、VPRTF、VPRQ、VPRQF、VPVT、VPVTF、VPVQ、VPVQF、VPRF、VFM、VF、 VFS、VTRF、VPRF2、VPRH2 等

薄膜壓力傳感器的結構及工作原理講解




薄膜壓力傳感器的結構及工作原理講解

我們的薄膜壓力傳感器是隔膜式的，使用金屬壓力表薄膜。當從壓力入口施加壓力時，膜片變形，形成在膜片上的金屬儀表薄膜變形，導致檢測到的電阻變化。
它提供比應變計壓力傳感器更靈敏的輸出，并且還具有比半導體壓力傳感器更小的溫度系數(shù)。

特征

• 由于溫度系數(shù)恒定，因此溫度特性非常好。

• 提供長期穩(wěn)定的輸出，幾乎不會隨著時間的推移而惡化

• 可耐高溫（200℃）

目標型號

電壓開關2

測量原理

當有電流流向輸入端時，壓力會施加到金屬量規(guī)薄膜上，導致失真，表現(xiàn)為輸出側電信號的變化。